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二十世紀(jì)八九十年代，隨著材料技術(shù)和微加工技術(shù)的發(fā)展，GMR（巨磁電阻）、TMR（隧穿磁電阻）效應(yīng)逐步被發(fā)現(xiàn)并被認(rèn)為具有廣闊的應(yīng)用前景，尤其是具有更高M(jìn)R比率（即更高的靈敏度）、更低功耗的TMR，被廣泛應(yīng)用于信息存儲(chǔ)領(lǐng)域，并正在逐步取代霍爾元件等成為新一代的集成化磁場(chǎng)傳感器技術(shù)。

在實(shí)際應(yīng)用過(guò)程中，受電磁干擾、雷電沖擊、設(shè)備啟停導(dǎo)致的瞬間過(guò)電流等均有可能在傳感器周圍產(chǎn)生強(qiáng)磁干擾，良好的抗強(qiáng)磁干擾的穩(wěn)定性可以保證芯片在復(fù)雜工況下穩(wěn)定工作，極低的磁滯可以保證傳感器的線性度及精度，提高重復(fù)測(cè)量的一致性。在室外等寬溫度環(huán)境工作時(shí)，一階線性溫漂特性可以使傳感器通過(guò)簡(jiǎn)便的溫漂調(diào)理方式即獲得十分良好的溫度穩(wěn)定性，保障在環(huán)境溫度劇烈變化時(shí)傳感器仍能正常、精準(zhǔn)地工作。采用TopSenseTM技術(shù)制備的具有極低磁滯，極強(qiáng)抗強(qiáng)磁干擾能力、一階線性溫漂的TMR線性傳感芯片將在汽車傳感、智能電網(wǎng)、新能源等磁場(chǎng)、電流測(cè)量領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用前景。